1. GaN功率器件结构设计、模拟仿真和版图设计; 2. 器件工艺开发; 3. 器件新工艺的工艺标准、检验标准的编制、修订和培训; 4. 器件工艺优化,以提高生产效率和产品质量。
1. 硕士及以上学历,半导体或微电子相关专业; 2. 有GaN HEMT 芯片工艺经验,良好的管理能力、沟通能力和分析解决问题的能力; 3. 工作积极主动、认真负责,有良好的团队合作精神; 4. 熟悉ISO9001:2008 、ISO14001:2004、 GB/T28001-2011的相关内容; 5. 参与过已量产的Si衬底上GaN HEMT芯片产品研发或生产优先。
电子技术/半导体/集成电路
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