深圳基本半导体有限公司（BASiC Semiconductor Ltd.）是中国第三代半导体行业领军企业，致力于碳化硅功率器件的研发与产业化。公司研发总部位于深圳，并在瑞典设立研发中心，是深圳第三代半导体研究院发起单位，并与深圳清华大学研究院共建“第三代半导体材料与器件研发中心”。 基本半导体整合海外创新技术与国内产业资源，对碳化硅器件的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等各方面进行研发，覆盖产业链各个环节。基于独有的3D SiCTM技术，基本半导体碳化硅功率器件性能达到国际先进水平，可广泛应用于新能源发电、新能源汽车、轨道交通和智能电网等领域。 通过引进海归人才和外籍专家，基本半导体建立了一支国际一流的高层次创新团队。以创新驱动产业升级，基本半导体矢志推动中国在第三代半导体领域实现弯道超车。
碳化硅肖特基二极管 碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/mK)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积和重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管，提供行业标准封装，具有优越的性能和极高的工作效率。 碳化硅PiN二极管 基本半导体基于其特有的碳化硅外延层技术，开发了一系列10kV以上电压等级的超高压双极型器件。其中，10kV PiN二极管的阻断电压14kV，4英寸晶圆上芯片良率达到90%，工作结温达到175℃，与传统硅二极管相比，具有更快的开启和关断特性，反向恢复特性软度高。在高压应用中，有利于降低串联器件个数，降低系统复杂度，增强可靠性。 碳化硅MOSFET 碳化硅 MOSFET具有低的RDS(ON)，开关性能优良，可提高器件工作效率，减少芯片面积。它们能在更高的开关频率下，通过更低的热损耗实现高效率。这些产品可在电机驱动器、开关电源、太阳能逆变器和UPS等领域广泛使用。 裸芯片 基于3D SiCTM技术，基本半导体自主研发碳化硅JBS二极管和碳化硅MOSFET芯片产品系列。目前已开发出650V、1200V和1700V 碳化硅JBS二极管，以及1200V 碳化硅MOSFET。 车规级全碳化硅功率模块 BMB200120P1是基本半导体为新能源汽车主逆变器应用推出的车规级全碳化硅功率模块。该模块采用业内主流的单面水冷散热形式，为高效电机控制器设计提供便利。 单模块采用半桥拓扑形式，内部集成两单元1200V/200A碳化硅MOSFET和碳化硅续流二极管。单模块200A的输出电流能力可有效减少逆变器中功率器件数量，降低系统设计难度，同时提升系统可靠性。工程师可以根据设计要求选择是否并联使用或需要并联使用的数量，为设计选型提供更多灵活选择的空间。 BMB200120P1采用基本半导体最新的碳化硅MOSFET设计生产工艺，在栅极电输入电容、内部寄生电感、热阻等多项参数上达到业内领先水平。 碳化硅外延材料 基本半导体生产100/150mm 碳化硅外延片，具有极佳的均匀性和极低的缺陷密度。针对不同规格要求，我们提供一套完整的碳化硅外延材料解决方案 ▶ 针对带缓冲层或无缓冲层的厚外延层，低掺杂层厚度可高达250μm。 ▶ 包含PN结和不同掺杂水平的多层结构。 ▶ 在外延过程中嵌入和埋置指定结构和接触层。 SiC器件定制 根据客户的设计要求，整合基本半导体标准工艺模块，提供完整的器件定制工艺解决方案： ▶ 完整的4/6寸生产流程线，拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备，提供完整的器件生产或部分工艺步骤定制； ▶ 全生产流程可控，标准化的工艺模块，包括高级的碳化硅深沟槽刻蚀，栅氧工艺及各种金属结工艺； ▶ 根据客户需要提供器件设计、仿真、CAD制图的相关辅助，并提供晶圆测试和相关测试数据的分析报告。
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